单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450~500 ℃）四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息如下：
a．四氯化硅遇水极易水解；
b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c．有关物质的物理常数见下表：

物质	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸点/℃	57．7	12．8	—	315	—
熔点/℃	-70．0	-107．2	—	—	—
升华温度/℃	—	—	180	300	162

请回答下列问题：
（1）写出装置A中发生反应的离子方程式______________。
（2）装置A中g管的作用是______________；装置C中的试剂是____________;装置E中的h 瓶需要冷却的理由是______________。
（3）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是______________（填写元素符号）。
（4）为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe2+,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定，反应的离子方程式是：
5Fe2++MnO4-+8H+→5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示剂？______（填 “是”或“否”），请说明理由__________。
②某同学称取5．000g残留物后，所处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液，移取25．00 mL试样溶液，用1．000×10-2mol·L-1KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时，消耗标准溶液20．00 mL，则残留物中铁元素的质量分数是________________。